D. H. Wang, D. Y. Kim, K. W. Choi, J. H. Seo, S. H. Im, J. H. Park*, O. O. Park*,A. J. Heeger*
Angew. Chem. Int. Ed. 50, 5519-5523 (2011)
2011.04.21
W. J. Hyun, H. K. Lee, S. S. Oh, O. Hess, C. –G. Choi, S. H. Im, O. O. Park*
Adv. Mater. 23, 1846-1850 (2011)
2011.03.07
K. H. Park, S. H. Im, O. O. Park
Nanotech. 22, 045602 (2011)
2010.12.15
Y. H. Lee, S. H. Im, J. H. Lee, S. I. Seok
Electrochim. Acta. 56, 2087-2091 (2011)2010.11.30
S. H. Im, Y. H. Lee, S. I. Seok, S. W. Kim, and S. W. Kim
Langmuir 26, 18576-18580 (2010)2010.11.11
D. H. Wang, D. G. Choi, K. J. Lee, S. H. Im, O. O. Park, J. H. Park
Org. Elect. 11, 1376-1380 (2010)2010.06.02
H. K. Choi, S. H. Im, and O. O. Park
Langmuir 26, 12500-12504 (2010)2010.07.06
D. Y. Kim, S. H. Im, and O. O. Park
Cryst. Growth. Design. 10, 3321-3323 (2010)
2010.06.14
Y. H. Lee, S. H. Im, J. H. Rhee, J. H. Lee, and S. I. Seok
ACS Appl. Mater. & Interface 2, 1648-1652 (2010)
2010.06.02
S. H. Im, Y. H. Lee, S. I. Seok*
Electrochim. Acta 55, 5665-5669 (2010)
Publication date : 2010.05.06
Impact factor : 3.642