SK하이닉스의이러한선제공격에,삼성전자는업계최초로D램칩을12단까지쌓은HBM3E실물을GTC에서전시했다.
한편시장조사업체트렌드포스는전체D램매출에서HBM의비중이지난해8.4%,올해는20.1%까지상승할것으로예상했다.
작년12월말국내은행의부실채권비율은0.47%로전분기말대비0.03%p상승했다.
기준금리를동결한FOMC이후미국증시에서주요지수가반등했으며일본증시도이러한훈풍을반영하고있다.특히기술주중심의나스닥종합지수가3일연속상승하며신고가를경신해지수상승요인이되고있다.
달러-엔환율은연고점인151.3엔대로상향진입했다.BOJ의마이너스(-)금리해제에도엔화는매파FOMC우려를더반영한모습이다.
삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.
제가삼성전자주식을7만원에샀다고가정하겠습니다.그리고동시에앵커님이한달뒤에7만원에삼성전자주식을살수있는콜옵션을앵커님한테팔았다고가정하겠습니다.
이어"변화를보이고글로벌경쟁력을입증해지속성장가능한기업으로만드는것이주주가치제고의핵심"이라고덧붙였다.