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삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.

(세종=연합인포맥스)이효지기자=안덕근산업통상자원부장관은우리기업들이반도체클러스터속도전에뒤처지지않도록전폭지원하겠다고강조했다.

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이날외국인은코스피에서주식을1조8천705억원을순매수했다.

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