금리도큰폭으로낮췄다.

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시장참가자들은이날오후2시에나올FOMC결과와경제전망요약(SEP)에주목하고있다.

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SK하이닉스는"HBM3에이어현존D램최고성능이구현된HBM3E역시가장먼저고객사에공급하게됐다"며"HBM3E양산도성공적으로진행해AI메모리시장에서의경쟁우위를이어가겠다"고밝혔다.

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외화자금시장은FOMC결과에안도하며올랐다.시장에서는FOMC회의에서올해기준금리인하횟수전망치를3회로유지한것에반색했으며이에따라미국채금리는단기물중심으로크게내렸다.

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매파적인결정이었지만,대체로시장이선반영한수준에서크게벗어나지않은것으로평가됐다.

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그는"지금보다다소더높은인플레이션을상반기중에보게될수도있다"며"장기금리가기존예상보다더높아질지는우리가알수없다"고덧붙이기도했다.

삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.